Ինժեներները տարիներ շարունակ փորձել են ստեղծել ծայրահեղ բարակ և ճկուն համակարգչային շղթաներ, սակայն տեխնիկական խոչընդոտները նրանց խանգարել են դա անել: Հիմա կարծես թե ամեն ինչ փոխվել է:
Սթենֆորդի համալսարանի հետազոտողները հորինել են 100 նանոմետրից պակաս ճկուն ատոմային բարակ տրանզիստորների արտադրության տեխնոլոգիա: Սա մի քանի անգամ պակաս է, քան նախկինում ստեղծված բոլոր անալոգները: Խոսքը մանրակրկիտության անհավատալի աստիճանի մասին է:
Ճկուն էլեկտրոնիկայի համար հարմար նյութերի շարքում երկչափ կիսահաղորդիչները ցույց են տվել, որ իրենք առավել հեռանկարային են: Սիլիցիումի սովորական նմուշների համեմատությամբ, օրինակ, դրանք նույնիսկ նանոմասշտաբում ունեն բարձրակարգ մեխանիկական և էլեկտրական հատկություններ:
Հետազոտողների կարծիքով, նոր տեխնոլոգիայով, այսպես կոչված, «ֆլեքսրոնիկի», այսինքն ՝ ճկուն էլեկտրոնիկայի դարաշրջանի սկիզբն ավելի է մոտենում իրականությանը: Այն բնութագրվում է հսկայական քանակությամբ ճկուն և էներգաարդյունավետ սարքերի ի հայտ գալով, որոնք կարող են մաշվել մարմնի վրա կամ տեղադրվել դրա մեջ առողջության և ոչ միայն դրա հետ կապված բազմաթիվ խնդիրների համար:
Ֆլեկտրոնիկայի զարգացման մեծ մարտահրավերն այսօր այն է, որ այդ աներևակայելի բարակ սարքերը պատրաստելը պահանջում է հատուկ գործընթաց, որին ճկուն հիմքերը չեն կարող դիմակայել: Արտադրության ընթացքում դրանք պարզապես հալվում են: Գիտնականներին հաջողվեց խուսափել դրանից` օգտագործելով մի չճկվող նյութ` որպես հիմք, և ավելացնելով մի քանի լրացուցիչ քայլեր տրանզիստորների պատրաստման գործընթացին:
Արդյունքում, գիտնականներին հաջողվեց ստեղծել հատուկ ճկուն կառուցվածք, որի հաստությունը ընդամենը երեք ատոմ է (սա տասն անգամ ավելի բարակ է, քան մարդու մազը), բայց դիմագրավում է 850° C վիթխարի ջերմաստիճանին:
Սիրարփի Աղաբաբյան